勇力嘉

2018-09-18 | 前沿

BAE开发新一代微电子技术

【据baesystems公司网站2018年9月17日公告】BAE系统公司与美国空军研究实验室(AFRL)签署了一项合作协议,用于将美国空军开发的氮化镓(GaN)半导体技术转换为高级微波产品(AMP)中心的技术工作,为此BAE系统公司将进一步增强该技术,并将其扩展到6英寸(15.24cm)晶圆,以降低芯片成本并提高防御关键技术的可访问性。GaN技术能在较小的面积内提供宽频带宽和高发射功率,使其成为下一代雷达、电子战和通信系统的理想方案。根据协议,BAE将与AFRL合作,建立一个140纳米的GaN单片微波集成电路(MMIC)技术,该技术将于2020年开始生产,并通过开放式服务向国防部(DoD)供应商提供产品。这项工作将利用AFRL的高性能技术和BAE系统的6英寸晶圆制造能力,推动GaN MMIC性能,为这一关键技术提供更广泛的应用途径。该项目的工作主要在位于新罕布什尔州纳舒厄的约6503平方米的微电子中心(MEC)进行。

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原文链接:baesystems公司网站
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