理群

2018-10-05 | 前沿

美国宾汉姆顿大学研制出无需电铸后处理的可扩展类神经元器件

【据美国宾汉姆顿大学网站2018年10月3日报道】美国宾汉姆顿大学和佐治亚理工学院合作研制出了一种基于Nb2O5x的金属记忆二极管,并证实其具有与NbO2/电容器组合器件相似的整流和磁滞行为。值得关注的是,该团队研制的Nb2O5x金属记忆二极管无需NbO2器件制造过程中的后制造电铸工序,这使得制造可扩展的神经形态计算电路成为可能,也使制造低成本、高能效、高密度的类神经电路成为可能,会加速能效更高、适应性更强的计算技术的发展。该研究得到了美国国防部防务威胁减缩局和美国空军科学研究办公室的资助,相关论文《Scalable Memdiodes Exhibiting Rectification and Hysteresis for Neuromorphic Computing》发表在Scientific Reports期刊上。

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