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2018-10-10 | 前沿

IBM开发出在半导体工艺中大规模集成纳米材料的方法

【据IBM公司网站2018年10月8日报道】如何将纳米材料自下而上集成在工业半导体制造工艺中是纳米电子器件研制中最具挑战性的问题之一,IBM巴西研究院的科研人员提出了一种利用大尺寸石墨烯通过电场辅助在预定位置沉积纳米材料的方法,并首次证明了可通过带电石墨烯使纳米材料沉积在固体表面任何所需的位置,完好率可达97%,覆盖表面积超过1平方毫米,为自下而上的纳米材料集成开辟了一条工业规模应用的途径。

石墨烯是能够导电和传播电场的最薄材料,可以通过设计石墨烯的形状和图案来决定纳米材料的放置位置,可以使用电场将纳米材料放置在石墨烯片上。这种结构化的石墨烯层可通过转移或合成预先制备在标准基板上,在纳米材料完成沉积后可非常容易地移除。以这种方式使用石墨烯能够在晶片规模和纳米精度下集成纳米材料,不仅可以在特定的纳米级位置沉积材料,还可以在多个沉积位置并行进行,这意味着大规模地集成纳米材料已成为可能。为了展示该方法的广泛适用性,IBM团队在基板的预定义位置上组装了典型的零维、一维和二维半导体,并将它们集成到了纳米电子器件中。IBM已为该方法申请到专利,编号为[US9412815B2],相关论文《Graphene-enabled and directed nanomaterial placement from solution for large-scale device integration》已在Nature Communications期刊上发表。

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原文链接:IBM公司网站
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