勇力嘉

2019-01-07 | 前沿

未来的电子产品:使用Rashba效应的新型节能机制

【据东京工业大学新闻网2018年12月27日报道】东京工业大学的研究人员通过一系列基于铋吸附铟的近似一维材料的模拟测试,发现了一种能产生无能量损耗的自旋电流的机制,该机制可用于自旋电子领域,其优势在于该机制不需要外部磁场来产生非耗散的自旋电流,可用于简化自旋电子器件,并进一步小型化。研究人员通过一系列模拟发现,当材料中的Rashba效应(Rashba-Bychkov效应,由于对称断裂产生的自旋向上与自旋向下的电子的分裂)很大时,只需要施加一定的电压即可产生自旋电流,研究人员进一步通过比较这些材料的各种变化的Rashba特性,提供了对材料旋转特性的观察差异的解释,为进一步的材料探索提供了指导;更好地理解并利用Rashba效应可用于自旋电子学,记忆存储器乃至量子计算机的开发。

相关研究论文《First-principles prediction of one-dimensional giant Rashba splittings in Bi-adsorbed in atomic chains》发表在《Physical Review B》上。

 

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