聚焦 2019-10-08 11:10

BAE系统公司积极推进美国空军开发的氮化镓半导体技术转化工作

胡燕萍 摘自 adsgroup网站

据adsgroup网站2019年10月2日刊文,BAE系统公司正在努力将美国空军(USAF)开发的短栅氮化镓(GaN)半导体技术转化到生产上。

BAE系统公司已成功完成第一阶段的工作,将美国空军开发的短栅氮化镓(GaN)半导体技术转化到其先进微波产品(AMP)中心。

美国空军研究实验室(AFRL)还选择了BAE系统公司完成该计划的第二阶段。

GaN一般制成半导体晶圆,该晶圆布局紧凑,具有高效率和宽频带宽功能,可集成到各种系统中,用于下一代雷达、电子战和通信。

作为第二阶段的一部分,BAE系统公司 FAST实验室的研发团队和AMP中心将进一步合作开发和提高该技术的成熟度。具体来说,该项目将把140纳米GaN单片微波集成电路(MMIC)技术扩大到六英寸(15.24cm)的晶片,并提高其制造成熟度水平,这是工艺验证的一部分,其中包括优化性能,确保工艺稳定性和最大化晶片晶圆均匀性和晶圆产量。一个老牌的MMIC设计公司ENGIN-IC将支持设计活动,包括工艺设计套件验证。

在第二阶段结束时,该技术将转化到工厂制造产品,并可以在不同的政府计划中得到更广泛的利用。

“我们的建造工厂是国防界值得信赖的合作伙伴,致力于短栅GaN等重要技术的设计、创建和实施,”BAE系统公司 FAST 实验室射频、电子战和先进电子产品线总监Chris Rappa表示, “ GaN技术满足了国防部对低成本、高性能放大器技术的独特需求,而这项工作的第二阶段使我们离成功制造AFRL技术并将其推向市场更近了一步。”

BAE系统公司正在位于新罕布什尔州纳舒厄的70000平方英尺(6503平方米)的微电子中心(MEC)研究和发展包括GaN在内的微电子技术。自2008年以来,MEC一直是美国国防部认可的1A类可信供应商,并为重要的国防部计划量产了集成电路。

阅读 收藏

相关专题: