前沿 2019-12-10 09:12

美国普渡大学开发出能同时处理和存储信息的晶体管

理群 摘自 美国普渡大学网站

【据美国普渡大学网站2019年12月9日报道】美国普渡大学的科研人员解决一项多年存在的技术挑战,采用具有铁电性质的二维半导体材料硒化铟(α-In2Se3)研制出了一种高性能铁电半导体场效应晶体管,既可以用来处理信息,又可以用来存储信息。α-In2Se3在室温下具有铁电性质,并具有较小的带隙,尺寸缩小只有几个原子厚度时仍可保持铁电性质保持,并具有大面积生长的潜力。普渡大学的科研人员开发了一种基于氧化铝的原子层沉积方法,以保护和增强硒化铟晶体管,并采用15纳米厚的二氧化铪作为栅极介电材料。该器件具有很大的记忆窗口,能效高,开关比超过108、最大导通电流862 μA/ μm,可以缩放到几个纳米,能用现有芯片技术制造。该研究得到了美国国家科学基金会、空军科学研究办公室、半导体研究公司、DARPA和海军研究办公室的支持,相关《A ferroelectric semiconductor field-effect transistor》已在Nature Electronics期刊上发表。

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